随着微波通信和雷达技术的快速发展，微波介质谐振器材料的研究也朝微波高端方向发展。介电常数小于10、具有高Q值与近零谐振频率温度系数的微波介质谐振器材料的研究已越来越受关注。同时，在微波介质材料领域内，探索材料介电损耗的机理并获得高Q值低损耗的材料一直是电介质材料研究的关键问题。介电常数＜10的介质材料一般具有高Q值，但同时也有大的负谐振频率温度系数，需要通过结构与微结构调控来获得近零的谐振频率温度系数。
希望与各机构致力于研究BMT的A位和B位取代。A位由Sr2+取代Ba2+离子，形成(Ba1-xSrx)(Mg1/3Ta2/3)O3（BSMT）固溶体化合物。Sr含量x≥0.6时发生相转变，形成一种新的低温相，这是由于氧八面体畸变造成的。低温相的形成可显著降低BSMT的烧结温度。采用化学纯(MgCO3)4Mg(OH)2·5H2O，BaCO3，分析纯 Ta2O5混合，用ZrO2球加去离子水磨3h，干燥后在1100℃下煅烧6h，粉碎后球磨3h，干燥压片，在1190-1230℃下烧结保温3h，被银待测。采用HEWLETT PACKARD 4278A Capacitance Meter测量损耗tand，同时测量电容量C，测试频率为1MHz。
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