III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件及其制备方法
- 成果编号
- 21379
- 完成单位
- 南京大学
- 完成时间
- 2015年
- 成熟程度
- 试生产阶段
- 价格
- 面议
- 服务产业领域
- 电子信息
- 单位类别
- 985系统院所、211系统院所
| 科技计划 | 成果形式 |
|---|---|
| 新技术 | |
| 合作方式 | 参加活动 |
技术转让 |
驻苏高校院所苏北五市产学研合作对接活动 第七届中国江苏产学研合作大会 |
| 专利情况 | |
正在申请 ,其中:发明专利 0 项 |
| 综合介绍 |
|---|
本发明公开了一种III 族氮化物半导体／量子点混合白光LED 器件，所述白光LED 器件在p 型电极不口n 型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n 型氮化物层内部，所述纳米孔阵列内填充有II-VI 族量子点。还公开了其制备方法。 |
| 创新要点 |
该类器件利用锢嫁氮（InGaN）量子阱与II-VI 量子点中激子间的非辐射复合能量转移，提高器件发光效率； 通过改变填充量子点的种类和配比，以调节发光波长与强度，能够实现超高显色指数的氮化物／量子点混合结构的白光LED 器件。 |
| 技术指标 |
该类器件利用锢嫁氮（InGaN）量子阱与II-VI 量子点中激子间的非辐射复合能量转移，提高器件发光效率； 通过改变填充量子点的种类和配比，以调节发光波长与强度，能够实现超高显色指数的氮化物／量子点混合结构的白光LED 器件。 |
| 其他说明 |
本成果来自江苏省光电信息功能材料重点实验室 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
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| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
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