技术转让

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本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法， 1 ）在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In 、Sn 或B i 诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置. 2 ）将上述衬底放入PECVD 系统腔内，在温度200 ℃ ，500 ℃，氢气等离子体处理样品5-30 分钟后，金属膜会形成大量几十纳米到几微米之间不同尺寸的的准纳米催化金属颗粒； 3 ）在PECVD 系统中，覆盖一层适当厚度（几纳米至几百纳米） 的非晶硅层作为前驱体介质层； 4 ）在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火，催化金属颗粒会被激活，自发吸收非晶硅，析出单晶硅，同时直径发生周期性变化，生长出珠串形纳米线。

本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法， 1 ）在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In 、Sn 或B i 诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置. 2 ）将上述衬底放入PECVD 系统腔内，在温度200 ℃ ，500 ℃，氢气等离子体处理样品5-30 分钟后，金属膜会形成大量几十纳米到几微米之间不同尺寸的的准纳米催化金属颗粒； 3 ）在PECVD 系统中，覆盖一层适当厚度（几纳米至几百纳米） 的非晶硅层作为前驱体介质层； 4 ）在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火，催化金属颗粒会被激活，自发吸收非晶硅，析出单晶硅，同时直径发生周期性变化，生长出珠串形纳米线。

本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法， 1 ）在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In 、Sn 或B i 诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置. 2 ）将上述衬底放入PECVD 系统腔内，在温度200 ℃ ，500 ℃，氢气等离子体处理样品5-30 分钟后，金属膜会形成大量几十纳米到几微米之间不同尺寸的的准纳米催化金属颗粒； 3 ）在PECVD 系统中，覆盖一层适当厚度（几纳米至几百纳米） 的非晶硅层作为前驱体介质层； 4 ）在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火，催化金属颗粒会被激活，自发吸收非晶硅，析出单晶硅，同时直径发生周期性变化，生长出珠串形纳米线。

本成果来自江苏省光电信息功能材料重点实验室