一种半金属/半导体肖特基结及其制备方法和肖特基二极管
- 成果编号
- 24541
- 完成单位
- 南京大学
- 完成时间
- 2019年
- 成熟程度
- 其他
- 价格
- 面议
- 服务产业领域
- 新材料
- 单位类别
- 985系统院所
| 科技计划 | 成果形式 |
|---|---|
| 新产品 | |
| 合作方式 | 参加活动 |
| 专利情况 | |
未申请专利 |
| 综合介绍 |
|---|
传统的肖特基器件因为传统金属和半导体界面的缺陷而引入较大的噪声。本发明采用半金属性质的稀土VA族化合物替代传统金属，其与半导体层晶格失配较小，对称性匹配，且可以浸润半导体层的表面，进而形成高质量的半金属/半导体肖特基结。本发明采用分子束外延法制备半金属/半导体肖特基结，RE-VA族化合物可以在超高真空条件下原位外延在半导体层上，降低了界面氧化物形成的可能性，有利于提高界面质量，且制备方法操作简单，易于实施。该产品主要应用于光电探测领域。 |
| 创新要点 |
| 技术指标 |
①理想因子≤1.05； ②噪声等效功率≤1 pW/Hz1/2 |
| 其他说明 |
江苏省功能材料设计原理与应用技术重点实验室 |
| 姓名 | 对接成功后可查看 | 所在部门 | 对接成功后可查看 |
|---|---|---|---|
| 职务 | 对接成功后可查看 | 职称 | 对接成功后可查看 |
| 手机 | 对接成功后可查看 | 对接成功后可查看 | |
| 电话 | 对接成功后可查看 | 传真 | 对接成功后可查看 |
| 邮编 | 对接成功后可查看 | 通讯地址 | 对接成功后可查看 |
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